반도체 기억장치

반도체 기억장치

RAM(Random Access Memory)

특성

임의 액세스 방식

반도체 집적회로 기억장치(semiconductor IC memory)

데이터 읽기와 쓰기가 모두 가능

휘발성(volatile) : 전원 공급이 중단되면 내용이 지워짐

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1K x 8 RAM 칩과 제어 신호들

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제조 기술에 따른 분류

DRAM (Dynamic RAM)

캐패시터(capacitor)에 전하(charge)를 충전하는 방식으로 데이터를 저장하는 기억 소자들(memory cells)로 구성  집적 밀도가 높다

데이터의 저장 상태를 유지하기 위하여 주기적인 재충전(refresh) 필요

밀도가 더 높으며, 같은 용량의 SRAM 보다 가격이 더 싸다

용량이 큰 주기억장치로 사용

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SRAM (Static RAM)

기억 소자로서 플립-플럽(flip-flop)을 이용  집적 밀도가 낮다.

전력이 공급되는 동안에는 재충전 없이도 데이터를 계속 유지 가능

DRAM보다 다소 더 빠르다

높은 속도가 필요한 캐쉬 기억장치로 사용

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64-bit RAM의 내부 조직 예[I] : 8x8 조직

8 비트로 이루어진 8 개의 기억 장소들로 구성

세 개의 주소 비트들이 필요 (23 = 8)

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64-bit RAM의 내부 조직 예[II] : 16x4 조직

4 비트로 이루어진 16 개의 기억 장소들로 구성

네 개의 주소 비트들이 필요 (24 = 16)

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64-bit RAM의 내부 조직 예[III] : 64x1 조직

한 비트 씩 저장하는 64 개의 기억 장소들로 구성

6개의 주소 비트들이 필요 (26 = 64)

상위 세 비트들은 8개의 행(row)들 중에서 한 개를 선택하고,

하위 세 비트들은 8개의 열(column)들 중에서 한 개를 선택

두 개의 3 × 8 해독기 필요

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RAM 내부 조직의 예[IV] : 4Mx4 조직 (16Mbit)

기억 소자들이 2048 × 2048 × 4 비트 형태로 배열

2048 개의 열과 2048 개의 행들로 이루어진 장방형 구조

각 기억 장소에는 4 개의 데이터 비트들을 저장

전체 22 비트의 주소 선들이 필요

RAS(Row Address Strobe) 신호와 CAS(Column Address Strobe) 신호를 이용하여 실제로는 주소 선을 11 개만 사용

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4Mx4 (16 Mbit) RAM의 내부 조직

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16 Mbit DRAM 패키지의 입출력 핀 구성

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5.3.2 ROM(Read Only Memory)

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영구 저장이 가능한 반도체 기억장치

읽는 것만 가능하고, 쓰는 것은 불가능​

다음 내용들의 저장에 사용

시스템 초기화 및 진단 프로그램 (예: PC의 BIOS 프로그램)

빈번히 사용되는 함수들을 위한 서브루틴들

제어 유니트의 마이크로프로그램

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ROM의 종류

PROM(Programmable ROM) : 사용자가 한 번은 쓰는 것이 가능한 ROM

EPROM(Erasable Programmable ROM) : 자외선을 이용하여 내용을 지우는 것이 가능한 PROM. 여러 번 쓰기가 가능

EEPROM(Electrically Erasable PROM) : 전기적으로 지울 수 있는 EPROM

플래쉬 기억장치(flash memory)

블록 단위로 지우는 것이 가능한 EEPROM

EEPROM에 비하여 삭제 시간이 더 빠르고, 집적 밀도도 더 높다

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